[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法有效
| 申请号： | 201210332988.2 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103681331A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应管及其形成方法，其中所述鳍式场效应管，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底上的鳍部；横跨所述鳍部的表面和侧壁的金属栅极结构；位于所述半导体衬底表面的介质层，所述介质层覆盖所述鳍部和金属栅极结构，所述介质层的表面高于金属栅极结构的顶部表面；位于所述介质层中暴露所述金属栅极结构顶部表面的第二凹槽；填充满所述第二凹槽的隔离层，所述隔离层中具有空气隙。隔离层中的空气隙减小了金属栅极和源漏接触区之间的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部；在所述鳍部上形成横跨鳍部表面和侧壁的牺牲栅极；在所述半导体衬底表面形成介质层，所述介质层表面与牺牲栅极的表面平齐；去除所述牺牲栅极形成第一凹槽；在所述第一凹槽填充满金属，形成金属栅极；去除部分厚度的所述金属栅极，形成第二凹槽，在所述第二凹槽中填充满隔离层，所述隔离层中具有空气隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
