[发明专利]自对准双重图形化方法有效
| 申请号： | 201210333003.8 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103681293A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 胡华勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种自对准双重图形化方法，包括：提供待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层上形成牺牲光刻胶层；将所述牺牲光刻胶层中顶部和侧壁的光刻胶进行固化形成固化光刻胶外壳；对所述牺牲光刻胶层顶部的固化光刻胶外壳进行回刻蚀，直到暴露出未固化的内部牺牲光刻胶层，位于内部牺牲光刻胶层侧壁的固化光刻胶外壳形成第一掩膜图形；去除所述未固化的内部牺牲光刻胶层。由于不需要形成硬掩膜层，减少了工艺步骤，不会因为所述硬掩膜层产生的应力对牺牲光刻胶层的形貌造成影响，且所述第一掩膜图形是通过将固化光刻胶外壳的顶部去除后形成的，通过光刻工艺形成的牺牲光刻胶层的侧壁光滑且垂直于待刻蚀材料层表面，最终形成的刻蚀图形的侧壁形貌较佳。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 双重 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种自对准双重图形化方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层上形成牺牲光刻胶层；将所述牺牲光刻胶层中顶部和侧壁的光刻胶进行固化形成固化光刻胶外壳；对所述牺牲光刻胶层顶部的固化光刻胶外壳进行回刻蚀，直到暴露出未固化的内部牺牲光刻胶层，位于所述内部牺牲光刻胶层侧壁的固化光刻胶外壳形成第一掩膜图形；去除所述未固化的内部牺牲光刻胶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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