[发明专利]多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构无效
| 申请号： | 201210333043.2 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102832538A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 倪海桥;丁颖;李密锋;喻颖;査国伟;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构，包括：一衬底；一N型掺杂的光学兼载流子限制层，其生长在衬底上；一多周期下量子点层，其制作在N型掺杂的光学兼载流子限制层上；一隧道结中的P型重掺杂层，其生长在多周期下量子点层上；一隧道结中的N型重掺杂层，其生长在隧道结中的P型重掺杂层上；一多周期上量子点层，其制作在隧道结中的N型重掺杂层上；一P型掺杂的光学兼载流子限制层，其生长在多周期上量子点层上。本发明提供的用于宽谱光放大的多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构，可以很好的解决量子点层数受限制的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 量子 隧道 串联 有源 宽带 增益 结构 | ||
【主权项】：
一种多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构，包括：一衬底；一N型掺杂的光学兼载流子限制层，该N型掺杂的光学兼载流子限制层生长在衬底上；一多周期下量子点层，该多周期下量子点层制作在N型掺杂的光学兼载流子限制层上；一隧道结中的P型重掺杂层，该隧道结中的P型重掺杂层生长在多周期下量子点层上；一隧道结中的N型重掺杂层，该隧道结中的N型重掺杂层生长在隧道结中的P型重掺杂层上；一多周期上量子点层，该多周期上量子点层制作在隧道结中的N型重掺杂层上；一P型掺杂的光学兼载流子限制层，该P型掺杂的光学兼载流子限制层生长在多周期上量子点层上。
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