[发明专利]硼铝共掺背面场硅太阳能电池及其制备方法

摘要

一种硼铝共掺背面场硅太阳能电池，包括：一p型硅衬底；一n型发射极，该n型发射极位于p型硅衬底上；一迎光面钝化层，该迎光面钝化层生长在n型发射极上，该迎光面钝化层上开有电极窗口；一金属栅线电极，该金属栅线电极制作在迎光面钝化层上的电极窗口内，该金属栅线电极与n型发射极接触；一硼铝共掺背面场，该硼铝共掺背面场制作在p型硅衬底的下面；一金属背电极，该金属背电极制作在硼铝共掺背面场的下面。本发明可以通过硼离子注入和硅铝合金相结合的方法来实现背面场的硼铝共掺，可以提高背面场的掺杂浓度，降低背表面的复合速度，从而提高太阳能电池的开路电压。具有易实现、成本低、效果好的优点。

主权项

一种硼铝共掺背面场硅太阳能电池，包括：一p型硅衬底；一n型发射极，该n型发射极位于p型硅衬底上；一迎光面钝化层，该迎光面钝化层生长在n型发射极上，该迎光面钝化层上开有电极窗口；一金属栅线电极，该金属栅线电极制作在迎光面钝化层上的电极窗口内，该金属栅线电极与n型发射极接触；一硼铝共掺背面场，该硼铝共掺背面场制作在p型硅衬底的下面；一金属背电极，该金属背电极制作在硼铝共掺背面场的下面。