[发明专利]一种双位NROM存储器及提高其电子注入效率的方法和结构

摘要

本发明公开了一种提高双位存储NROM电子注入效率的方法，其中，包括以下步骤：制备具有两个凸面的衬底；在衬底上依次形成带有凸面结构的隧穿介质层、存储电荷层、阻挡氧化层；在阻挡氧化层上制备多晶硅；在衬底上进行刻蚀工艺，去除衬底上多余的所多晶硅、阻挡氧化层、存储电荷层和所述隧穿介质层；在衬底的两侧形成源极和漏极，并在源极和漏极上形成侧墙。本发明还包括一种提高NROM存储器电子注入效率的结构，该结构包括上述方法制成的结构；本发明还包括一种双位存储NROM存储器，其包括上述的提高NROM存储器电子注入效率的结构。热电子在凸面区域就可以注入存储电荷层，减少漏极或源极的强电场对热电子的影响，从而提高了热电子的注入效率。

主权项

一种提高双位存储NROM电子注入效率的方法，其特征在于，包括以下步骤：制备一具有两个凸面的衬底；在所述衬底的表面依次形成隧穿介质层、存储电荷层、阻挡氧化层，所述隧穿介质层、所述存储电荷层和所述阻挡氧化层的表面为凸面结构；在所述阻挡氧化层上表面制备多晶硅；在所述衬底上进行刻蚀工艺，去除所述衬底上多余的所述多晶硅、所述阻挡氧化层、所述存储电荷层和所述隧穿介质层；在所述衬底的两侧形成源极和漏极，并在所述源极和所述漏极上形成侧墙。