[发明专利]氮化物半导体元件及制造方法无效
| 申请号： | 201210334383.7 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN103022120A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 岩见正之;古川拓也 | 申请（专利权）人： | 先进动力设备技术研究协会 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/04;H01L29/207;H01L21/335;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体元件及其制造方法，所述氮化物半导体元件耐压高，且能有效地降低漏电流。该氮化物半导体元件，具有：基底基板；缓冲层，形成在基底基板的上方；活性层，形成在缓冲层上；以及至少两个电极，形成在活性层的上方，缓冲层具有1层以上的复合层，该复合层包含晶格常数不同的多个氮化物半导体层；复合层的至少1层中，在多个氮化物半导体层中的晶格常数最大的氮化物半导体层中的载流子区域，有意图地掺杂预先设定的浓度的碳原子和预先设定的浓度的氧原子。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体元件，其具有：基底基板；缓冲层，形成在所述基底基板的上方；活性层，形成在所述缓冲层上；以及至少两个电极，形成在所述活性层的上方，所述缓冲层具有1层以上的复合层，所述复合层包含晶格常数不同的多个氮化物半导体层，对于所述复合层的至少1层而言，在所述多个氮化物半导体层中的晶格常数最大的氮化物半导体层中，在由于与上一层的氮化物半导体层之间的晶格常数差而产生载流子的载流子区域的至少一部分，掺杂有碳原子和氧原子。
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