[发明专利]用于相变存储器的Al-Ge-Te相变材料无效
| 申请号： | 201210335059.7 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN102832339A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 任堃;饶峰;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于相变存储器的Al-Ge-Te相变材料，所述Al-Ge-Te相变材料的化学通式为Al100-x-yGexTey，其中50＜x+y＜100，0.25＜x/y＜4。Al-Ge-Te相变材料作为相变存储器中的存储介质，可以在电信号作用下实现高低阻值之间的转换。基于Al-Ge-Te相变材料的相变存储器在电信号的操作下，低阻阻值大于基于Ge-Te传统相变材料的器件低阻值，满足了低功耗的需求。并且Al-Ge-Te基相变存储器在循环擦写103次之后仍维持了正常的高低阻差别，体现出器件的循环使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 al ge te 材料 | ||
【主权项】：
一种用于相变存储器的Al‑Ge‑Te相变材料，其化学通式为Al100‑x‑yGexTey，其中50＜x+y＜100，0.25＜x/y＜4。
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