[发明专利]具有黄铜矿结构的Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体及其制备工艺有效
| 申请号： | 201210335154.7 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN102887488A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 崔教林;李亚鹏 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00 |
| 代理公司： | 宁波奥凯专利事务所(普通合伙) 33227 | 代理人： | 白洪长 |
| 地址： | 31521*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及热电材料领域，是一种具有黄铜矿结构的Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体及其制备工艺。其设计要点在于所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体中的部分Cu元素等摩尔替换为Sb元素，所述Sb元素在所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体中的摩尔分数为0～0.025，Cu元素在所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体中的摩尔分数为0.225～0.25。所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体的化学式为Cu1-xGaSbxTe2，其中0≤x≤0.1。本发明采用常规的粉末冶金法制备，工艺简单；采用金属元素Sb等摩尔替换Cu-Ga-Sb-Te四元热电合金中Cu元素，成本较低；材料具有环保特性，无噪音，适合作为一种绿色能源材料使用。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 黄铜矿 结构 cu ga sb te 热电 半导体 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种具有黄铜矿结构的Cu‑Ga‑Sb‑Te四元热电半导体，其特征在于所述Cu‑Ga‑Sb‑Te四元热电半导体中的Cu元素等摩尔替换为Sb元素，所述Sb元素在所述Cu‑Ga‑Sb‑Te四元热电半导体中的摩尔分数为0～0.025，Cu元素在所述Cu‑Ga‑Sb‑Te四元热电半导体中的摩尔分数为0.225～0.25，所述Cu‑Ga‑Sb‑Te四元热电半导体的化学式为Cu1‑xGaSbxTe2，其中0≤x≤0.1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波工程学院，未经宁波工程学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210335154.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：混联式摆线齿轮减速机
- 下一篇：切线式内循环滚珠螺杆
