[发明专利]氧化硅为内核的氧化铈复合磨料及其制备方法无效
| 申请号： | 201210335193.7 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN103666372A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 吴秋芳;史运宝;高纬;李福清;马新胜 | 申请（专利权）人： | 上海华明高技术（集团）有限公司;华东理工大学 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;C09G1/02 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人： | 罗大忱 |
| 地址： | 200231 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化硅为内核的氧化铈复合磨料及其制备方法，所述氧化硅为内核的氧化铈复合磨料，颗粒的平均粒径D50为1.5~10μm，以所述复合磨料的总质量计，CeO2的含量为7%~17%。本发明以氧化硅微粉为核，以硝酸铈为铈源，碳铵为沉淀剂，采用化学沉淀法，通过控制工艺条件，将氧化铈均匀包覆于氧化硅表面，得到核壳结构的氧化硅为内核的氧化铈复合磨料，大大减少了稀土用量，复合磨料中氧化铈与氧化硅的质量百分比为7%~20%，复合磨粒平均粒径为1.5~10μm，磨料颗粒形貌为不规则的多棱角状，具有抛光速率高、抛光质量好以及成本低廉等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 内核 复合 磨料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
氧化硅为内核的氧化铈复合磨料，其特征在于，颗粒的平均粒径D50为1.5~10μm，以所述复合磨料的总质量计，CeO2的含量为7%~17%。
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