[发明专利]判断离子注入制程段中产生颗粒缺陷的机台的方法无效
| 申请号： | 201210335261.X | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN102832153A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 顾珍;许向辉;郭贤权 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种判断离子注入制程段中产生颗粒缺陷的机台的方法，包括：提供经过离子注入制程段的半导体衬底；获得所述半导体衬底表面的颗粒缺陷图；确定每一掩膜层对应的颗粒缺陷比，所述颗粒缺陷比为：该半导体衬底的未被该掩膜层覆盖的位置的颗粒缺陷的数目与该半导体衬底的被该掩膜层覆盖的位置的颗粒缺陷的数目的比值；确定颗粒缺陷比最大的掩膜层，该掩膜层对应的离子注入工艺步骤所采用的机台即为产生颗粒缺陷的机台。本发明确定了在离子注入制程段中引起颗粒缺陷的离子注入工艺步骤和采用的离子注入机台。 | ||
| 搜索关键词： | 判断 离子 注入 制程段中 产生 颗粒 缺陷 机台 方法 | ||
【主权项】：
一种判断离子注入制程段中产生颗粒缺陷的机台的方法，其特征在于，包括：提供经过离子注入制程段的半导体衬底，所述离子注入制程段包括多个离子注入步骤，每一离子注入步骤采用对应的掩膜层进行；获得所述半导体衬底表面的颗粒缺陷图；确定每一掩膜层对应的颗粒缺陷比，所述颗粒缺陷比为：该半导体衬底的未被该掩膜层覆盖的位置的颗粒缺陷的数目与该半导体衬底的被该掩膜层覆盖的位置的颗粒缺陷的数目的比值；确定颗粒缺陷比最大的掩膜层，该掩膜层对应的离子注入工艺步骤所采用的机台即为产生颗粒缺陷的机台。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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