[发明专利]铝金属栅化学机械研磨去除率的确定方法和系统有效
| 申请号： | 201210335433.3 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN102832114A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 徐勤志;陈岚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种铝金属栅化学机械研磨去除率的确定方法，提供铝金属栅化学机械研磨时的研磨参数、所需研磨液的成分及各成分的浓度，根据研磨时研磨液中各成分与铝金属栅表面发生的化学反应以及研磨粒子对铝金属栅表面机械去除反应，确定金属粒子浓度随时间变化率与金属粒子浓度的关系，由此关系确定铝金属栅的研磨去除率。相应地，本发明还提供一种铝金属栅化学机械研磨去除率的确定系统。本发明综合考虑有效研磨粒子机械去除和研磨液化学反应刻蚀间的协同作用，能实时确定铝金属栅的化学机械研磨去除速率，对CMP研磨的实时预测及芯片生产线工艺配置具有积极指导作用。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 化学 机械 研磨 去除 确定 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种铝金属栅化学机械研磨去除率的确定方法，其特征在于，包括步骤：提供铝金属栅化学机械研磨时的研磨参数、所需研磨液的成分及各成分的浓度；确定研磨液中各成分与铝金属栅表面发生的化学反应；确定所述研磨液中研磨粒子对铝金属栅表面机械去除反应；根据所述化学反应和表面机械去除反应的反应速率方程，确定金属粒子浓度随时间变化率与金属粒子浓度的关系；根据所述金属粒子浓度随时间变化率与金属粒子浓度的关系，确定铝金属栅的研磨去除率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210335433.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
