[发明专利]基于硅烷的二氧化硅膜形成方法以及半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201210335513.9 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN102800569A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 易义军;陈建维;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种基于硅烷的二氧化硅膜形成方法以及半导体器件制造方法。根据本发明的基于硅烷的二氧化硅膜形成方法包括：第一步骤：将晶圆放入在反应腔中；第二步骤：通过第一管路通入气体SiH4，通入第二管路通入气体N2O；第三步骤：启动射频能量；第四步骤：关闭第一管路中气体SiH4；第五步骤：在关闭第一管路中气体SiH4之后关闭射频能量；其中，在所述第五步骤中在关闭第一管路中气体SiH4之后关闭射频能量的延迟时间为5秒。本发明优化后的基于硅烷的二氧化硅膜形成方法，彻底消除了晶圆边缘特殊图形的团聚物颗粒，有效解决产品中的晶圆边缘特殊图形的团聚物颗粒问题，提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 硅烷 二氧化硅 形成 方法 以及 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
一种基于硅烷的二氧化硅膜形成方法，其特征在于包括：第一步骤：将晶圆放入在反应腔中；第二步骤：通过第一管路通入气体SiH4，通入第二管路通入气体N2O；第三步骤：启动射频能量；第四步骤：关闭第一管路中气体SiH4；第五步骤：在关闭第一管路中气体SiH4之后关闭射频能量；其中，在所述第五步骤中在关闭第一管路中气体SiH4之后关闭射频能量的延迟时间为5秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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