[发明专利]双宽带近红外吸收器无效
申请号: | 201210335636.2 | 申请日: | 2012-09-11 |
公开(公告)号: | CN102798906A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 刘正奇;王振林;詹鹏;谌静 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | G02B5/00 | 分类号: | G02B5/00 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 夏雪 |
地址: | 210093*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种双宽带近红外吸收器,包括:一衬底;在所述衬底上沉积的厚度不小于100纳米的第一金属膜层;在所述第一金属膜层上密堆排列的单层介质球;在所述单层介质球上沉积的第二金属膜层。本发明的双宽带近红外吸收器对大角度入射的宽频段近红外电磁波具有完美的吸收效果,并且对近红外电磁波的偏振特性不敏感。在实际应用中,由于电磁环境复杂,斜入射波比正入射波更加普遍,各种偏振特性入射波比单一偏振特性入射波更加普遍,因此本发明能良好地适应复杂的电磁环境。本发明的双宽带近红外完美吸收器具有制备工艺简单、成本低、高可重复性和可大面积生产的优点,在电磁能量吸收、探测和转换等领域具有很大的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 宽带 红外 吸收 | ||
【主权项】:
一种双宽带近红外吸收器,包括:一衬底;在所述衬底上沉积的厚度不小于100纳米的第一金属膜层;在所述第一金属膜层上密堆排列的单层介质球;在所述单层介质球上沉积的第二金属膜层。
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