[发明专利]一种射频法制备SiO2薄膜的方法无效
| 申请号： | 201210336455.1 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN102839349A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 李剑锋 | 申请（专利权）人： | 大连交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/10 | 分类号： | C23C14/10;C23C14/35;F24J2/46 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅;李馨 |
| 地址： | 116028 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种射频法制备SiO2薄膜的方法，属于SiO2薄膜制备和应用领域。一种射频法制备SiO2薄膜的方法，为射频磁控溅射方法，包括射频溅射的步骤，所述射频磁控溅射步骤中采用下述工艺参数：射频功率1.8KW，溅射时间10min。所得产品的反射率介于0.917-0.941之间，相比于普通玻璃基体反射率平均提高3%，是进一步提高太阳能真空集热器光热转换效率的一个有效途径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 法制 sio sub 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种射频法制备SiO2薄膜的方法，为射频磁控溅射方法，包括射频溅射的步骤，其特征在于：所述射频磁控溅射步骤中采用下述工艺参数：射频功率1.8KW，溅射时间10min。
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