[发明专利]一种形成光刻胶图案的方法及装置有效
| 申请号： | 201210337284.4 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103676470A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 丁丽华;林益世;胡华勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成光刻胶图案的方法及装置，涉及光刻技术领域。该形成光刻胶图案的方法包括：步骤S201：提供形成有待构图薄膜的衬底，在所述待构图薄膜上涂布一层光刻胶；步骤S202：对所述光刻胶进行曝光处理；步骤S203：对所述光刻胶进行显影处理；步骤S204：对所述显影后的光刻胶进行清洗处理；步骤S205：对所述清洗后的光刻胶进行低速旋转干燥处理；步骤S206：将所述光刻胶送入蒸发室进行干燥处理。该形成光刻胶图案的装置包括：腔体，设置于所述腔体上的密封结构和排气系统，还包括设置于该腔体内的支撑结构和加热板。本发明提供的形成光刻胶图案的方法及装置，可以防止光刻胶图案发生坍塌，能够实现更好的光刻胶图案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 光刻 图案 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种形成光刻胶图案的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤S201：提供形成有待构图薄膜的衬底，在所述待构图薄膜上涂布一层光刻胶；步骤S202：对所述光刻胶进行曝光处理；步骤S203：对所述光刻胶进行显影处理；步骤S204：对所述显影后的光刻胶进行清洗处理；步骤S205：对所述清洗后的光刻胶进行低速旋转干燥处理；步骤S206：将所述光刻胶送入蒸发室进行干燥处理。
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