[发明专利]超级结器件的终端保护结构

摘要

本发明公开了一种超级结器件的终端保护结构，在电流流动区的各边外侧设置有长度方向和对应边垂直的交替排列的P型和N型薄层，在电流流动区的各角外侧为一过渡区，实现P型和N型薄层的连续交替排列，拐角区域的P型或N型薄层都为平行或垂直关系，且都和终端保护结构的其它区域的P型或N型薄层成平行或垂直关系，所以在沟槽中填充外延层形成P型或N型薄层时，能够实现终端保护结构各位置处的P型或N型薄层都为<100>晶向填充，从而能消除薄层中的空洞，降低器件的漏电。本发明通过设置一环绕于终端保护结构外侧的电荷辅助耗尽环，能提高P型或N型薄层电荷匹配能力、实现终端保护结构的良好耗尽并能提高器件的源漏击穿电压以及性能。

主权项

一种超级结器件的终端保护结构，超级结器件包括电流流动区和终端保护结构；所述电流流动区包括由多个平行且长度相同的P型薄层和N型薄层横向交替排列结构，所述电流流动区的外周呈第一矩形结构；所述终端保护结构环绕于所述电流流动区的四周；其特征在于：所述终端保护结构包括两部分由P型薄层和N型薄层横向交替排列形成的结构；第一部分结构由设置于所述第一矩形各边外侧的多个平行且长度相同的第一P型薄层和第一N型薄层横向交替排列形成，所述第一P型薄层和所述第一N型薄层的长度方向和所对应的所述第一矩形边垂直，各所述第一矩形的边所对应的各所述第一P型薄层和各所述第一N型薄层的两侧的宽度边分别对齐并连成直线、且由各所述第一P型薄层和各所述第一N型薄层的两侧的宽度边连成直线的两端点都分别和所对应的所述第一矩形边的两端点对齐；第二部分结构设置于所述第一矩形的各角外侧，所述第二部分结构包括多个交替排列的P型薄层和N型薄层、且所述第二部分结构的P型薄层和N型薄层和第一部分结构的各所述第一P型薄层和所述第一N型薄层形成P型薄层和N型薄层的连续交替排列结构，所述第二部分结构的P型薄层和N型薄层为平行或垂直关系、且都和第一部分结构的各所述第一P型薄层和所述第一N型薄层成平行或垂直关系；在所述终端保护结构的外侧形成有围绕所述终端保护结构的电荷辅助耗尽环，所述电荷辅助耗尽环和各P型薄层和各N型薄层所位于的外延层掺杂类型相反；所述电荷辅助耗尽环为一连续线的环状结构、或者由多个断开的线段形成的环状结构，所述电荷辅助耗尽环的内侧边和各所述第一P型薄层或各所述第一N型薄层的外侧的宽度边相接触、或相隔离；所述电荷辅助耗尽环用于减小终端保护结构的各薄层外侧的外延层对各薄层的影响，从而提高P型薄层或N型薄层电荷匹配能力、实现终端保护结构的良好耗尽；各P型薄层是由填充于沟槽中的P型外延层组成，所述沟槽形成于N型外延层中，N型薄层由位于各P型薄层之间的所述N型外延层组成，所述N型外延层表面、所述沟槽各表面都属于{100}晶面族；或者，各N型薄层是由填充于沟槽中的N型外延层组成，所述沟槽形成于P型外延层中，P型薄层由位于各N型薄层之间的所述P型外延层组成，所述P型外延层表面、所述沟槽各表面都属于{100}晶面族。