[发明专利]Al2O3陶瓷基底上TiO2纳米管有序阵列的制备有效
| 申请号： | 201210337502.4 | 申请日： | 2012-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN102899701A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 张小秋;张柯;李文英;尹桂林;姜来新;余震;何丹农 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26;C23C14/35;C23C14/18;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种Al2O3陶瓷基底上TiO2纳米管有序阵列的制备，该方法包括：（1）使用磁控溅射方法在Al2O3陶瓷片上溅射一层纯钛膜；（2）配置阳极氧化溶液；（3）将溅射有钛膜的Al2O3陶瓷片进行阳极氧化，获得高度有序的TiO2纳米管阵列。该方法克服必须使用钛片或者钛箔制备高度有序纳米管的缺陷，而是使用磁控溅射的方法获得很薄的一层钛膜，并对此进行阳极氧化而获得高度有序的TiO2纳米管阵列。本发明操作简便，反应条件温和，并且磁控溅射方法价格便宜、成膜均匀，可用于大面积制备薄膜，适用于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | al sub 陶瓷 基底 tio 纳米 有序 阵列 制备 | ||
【主权项】：
一种Al2O3陶瓷基底上TiO2纳米管有序阵列的制备方法，其特征在于按以下步骤进行：（1）Al2O3陶瓷片清洗：依次用丙酮、酒精、去离子水超声清洗；（2）溅射钛膜：采用直流溅射钛靶，溅射气体为纯氩气；（3）配制阳极氧化溶液；（4）对步骤（1）中所得Al2O3陶瓷片在步骤（3）配制的溶液中进行阳极氧化，制备出高度有序的TiO2纳米管阵列。
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