[发明专利]无定形Ge/Te的沉积方法有效
| 申请号： | 201210337922.2 | 申请日： | 2008-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102912314A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 陈世辉;威廉·亨克斯;陈天牛;马蒂亚斯·斯滕德;许从应;杰弗里·F·罗德;李卫民 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | C23C16/18 | 分类号： | C23C16/18;C07F7/30 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及有效地利用锗、碲、和/或锑前体来形成含有锗、碲和/或锑的膜，诸如GeTe、GST、以及热电的含锗膜。还描述了用于使用这些前体以形成无定形膜的方法。进一步描述了[{nBuC(iPrN)2}2Ge]或丁基脒基锗的使用，以形成GeTe平滑无定形膜，用于相位变换存储器应用。 | ||
| 搜索关键词： | 无定形 ge te 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种通过气相沉积工艺在衬底上形成平滑、无定形含锗膜的方法，包括蒸发锗前体以形成锗前体蒸气，可选使所述锗前体蒸气与选自由氨、氢、氦、氩、和氮构成的组中的组份化合，并且使所述前体蒸气与用于在其上气相沉积所述含锗膜的衬底接触，其中所述锗前体包括锗的脒基化合物或复合物。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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