[发明专利]磁阻自旋阀层系统无效

专利信息
申请号: 201210337942.X 申请日: 2012-09-12
公开(公告)号: CN102998634A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 托马斯·贝维尔;克莱门斯·普鲁格尔;沃尔夫冈·拉伯格;安德烈亚斯·斯特拉瑟;于尔根·齐默尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;宫传芝
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明实施方式涉及磁阻自旋阀层系统。具体地,实施方式涉及具有增强稳定性的诸如巨磁阻(GMR)或隧道式磁阻(TMR)的MR自旋阀层系统以及相关传感器。本发明实施方式至少包括多层固定层或多层基准层之一,使得叠层更稳定,从而适用于比传统系统和传感器更高的温度和磁场。
搜索关键词: 磁阻 自旋 系统
【主权项】:
一种磁阻(MR)自旋阀叠层,包括:反铁磁体层;邻接所述反铁磁体层的多层固定层;多层基准层;所述多层固定层和所述多层基准层之间的非磁性金属层;自由层;以及所述自由层和所述多层基准层之间的非磁性金属层。
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