[发明专利]形成浅沟槽隔离区的方法在审
| 申请号： | 201210338682.8 | 申请日： | 2012-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103681449A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张飞;杨玲;夏雁宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成浅沟槽隔离区的方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成隔离氧化层和氮化硅层；依次刻蚀氮化硅层、隔离氧化层及半导体衬底，在所述半导体衬底内形成沟槽；在所述沟槽内部表面生长一层衬垫氧化硅；对所述衬垫氧化硅进行退火处理，并通入氧气以提高衬垫氧化硅的形成质量；在沟槽内进行氧化物的填充及抛光，形成浅沟槽隔离区，并去除所述氮化硅层。采用本发明能够改善AA拐角处的衬垫氧化硅膜质量。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 沟槽 隔离 方法 | ||
【主权项】：
一种形成浅沟槽隔离区的方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成隔离氧化层和氮化硅层；依次刻蚀氮化硅层、隔离氧化层及半导体衬底，在所述半导体衬底内形成沟槽；在所述沟槽内部表面生长一层衬垫氧化硅；对所述衬垫氧化硅进行退火处理；在沟槽内进行氧化物的填充及抛光，形成浅沟槽隔离区，并去除所述氮化硅层；其特征在于，对所述衬垫氧化硅进行退火处理时，通入氧气以提高衬垫氧化硅的形成质量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
