[发明专利]电阻变化型非易失性存储器件及其操作方法、半导体器件

摘要

本发明涉及电阻变化型非易失性存储器件及其操作方法、半导体器件。提出一种电阻变化型非易失性存储器件，其能够执行低压和高速切换行为，同时抑制变化。该电阻变化型非易失性存储器件具备第一电极；设置在第一电极上的电阻变化部；以及设置在电阻变化部上的第二电极。电阻变化部具备设置在第一电极上并通过施加的电压经历电阻变化的电阻变化层以及设置在电阻变化层上并形成细丝的稳定层。电阻变化层和稳定层由彼此不同的金属氧化物制成。电阻变化层的氧化物形成能高于稳定层的氧化物形成能。电阻变化层具有如下膜厚，使得允许电阻变化部在断开状态下的电阻处于由该膜厚确定的范围内。

主权项

一种电阻变化型非易失性存储器件，包括：第一电极；电阻变化部，所述电阻变化部设置在所述第一电极上；以及第二电极，所述第二电极设置在所述电阻变化部上，其中所述电阻变化部包括：电阻变化层，所述电阻变化层设置在所述第一电极上并且通过施加的电压经历电阻变化；以及稳定层，所述稳定层设置在所述电阻变化层上并且形成细丝，并且其中所述电阻变化层包含与所述稳定层包含的金属氧化物不同的的金属氧化物、具有大于所述稳定层的氧化物形成能的氧化物形成能、并且具有下述膜厚，所述膜厚使得允许所述电阻变化部在断开状态下的电阻落入由所述膜厚确定的范围内。