[发明专利]具有可控制的光谱响应的光电探测器有效
申请号: | 201210339889.7 | 申请日: | 2012-09-14 |
公开(公告)号: | CN103000645A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | T.考奇 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;卢江 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及具有可控制的光谱响应的光电探测器。光电探测器包括具有辐射区的半导体衬底,所述辐射区被配置为:响应于所述半导体衬底的辐射,生成具有相反电荷载流子类型的电荷载流子。所述光电探测器还包括反型区生成器,所述反型区生成器被配置为:在至少两个操作状态中操作以在衬底内生成不同反型区,其中在第一操作状态中生成的第一反型区与在第二操作状态中生成的第二反型区不同,以及其中所述第一反型区和所述第二反型区具有所述半导体衬底中的不同延伸。还描述了用于制造光电探测器的对应方法和用于确定辐射的光谱特性的方法。 | ||
搜索关键词: | 具有 控制 光谱 响应 光电 探测器 | ||
【主权项】:
一种光电探测器,包括:具有辐射区的半导体衬底,所述辐射区被配置为:响应于所述半导体衬底的辐射,生成具有相反电荷载流子类型的电荷载流子;以及反型区生成器,被配置为:在至少两个操作状态中操作以在衬底内生成不同反型区,其中在第一操作状态中生成的第一反型区与在第二操作状态中生成的第二反型区不同,以及其中所述第一反型区和所述第二反型区具有所述半导体衬底中的不同延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的