[发明专利]双轮廓浅沟槽隔离装置和系统

摘要

本发明描述一种装置及其制造方法，该装置是半导体电路器件，其具有在半导体衬底上界定有源区域和外围区域以电隔离有源区域中的结构与外围区域中的结构的浅沟槽隔离部件。界定有源区域的浅沟槽隔离部件浅于界定外围区域的浅沟槽隔离部件，其中通过两个以上蚀刻步骤形成外围区域浅沟槽隔离结构。本发明公开了双轮廓浅沟槽隔离装置和系统。

主权项

一种利用浅沟槽隔离(STI)的半导体器件，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上设置有第一半导体器件、第二半导体器件和第三半导体器件；有源区域，设置在所述半导体衬底上，并且在所述有源区域中设置有至少所述第一半导体器件；外围区域，设置在所述半导体衬底上，所述外围区域与所述有源区域分开，并且在所述外围区域中设置有至少所述第二半导体器件；第一STI沟槽，界定所述有源区域的至少一部分，所述第一STI沟槽至少部分地将所述第一半导体器件与至少所述第二半导体器件和所述第三半导体器件隔离开；以及第二STI沟槽，界定所述外围区域的至少一部分，其中，所述第二STI沟槽的深度基本深于所述第一STI沟槽的深度，并且所述第二STI沟槽将所述第二半导体器件与至少所述第三半导体器件隔离开。