[发明专利]一种硅硅键合表面沾污的处理方法有效

专利信息
申请号: 201210340681.7 申请日: 2012-09-15
公开(公告)号: CN102963865A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 陈博;郭群英;徐栋;黄斌;何凯旋;陈璞;王文婧;王鹏;汪祖民 申请(专利权)人: 华东光电集成器件研究所
主分类号: B81C3/00 分类号: B81C3/00
代理公司: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 代理人: 杨晋弘
地址: 233042 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及一种硅硅键合表面沾污的处理方法,包括以下步骤:a、制作一个与待键合硅片形状相适应的硅垫片,硅垫片表面沉积一层氮化硅薄膜;b、将硅垫片沉积氮化硅的一面与待键合硅片对准贴紧,放置于键合夹具中固定;c、将硅垫片以及待键合硅片进行预键合,预键合后揭下硅垫片,d、将预键合后的硅片进行烧结键合。本发明具有如下优点:(1)本发明不需要化学和物理手段去除,可以提高MEMS器件可动结构的完整性;(2)本发明简单实用,使用方法易于操作,适于生产加工中广泛应用。
搜索关键词: 一种 硅硅键合 表面 沾污 处理 方法
【主权项】:
一种硅硅键合表面沾污的处理方法,其特征在于包括以下步骤:a、制作一个与待键合硅片形状相适应的硅垫片,硅垫片表面沉积一层氮化硅薄膜;b、将硅垫片沉积氮化硅的一面与待键合硅片对准贴紧,放置于键合夹具中固定;c、将硅垫片以及待键合硅片进行预键合,预键合后揭下硅垫片;d、将预键合后的硅片进行烧结键合。
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