[发明专利]一种含介电层的半导体原件的切割方法有效
| 申请号： | 201210341597.7 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102825668A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 单立伟 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;B23K26/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230011 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种含介电层的半导体原件的切割方法，本发明先在半导体衬底上制作多个半导体单元，然后于所述半导体衬底背面制作对532nm激光透过率大于30%的介电层，然后依据各该半导体单元对所述半导体衬底进行隐形切割，最后裂片以完成切割。本发明通过在半导体衬底背面制作对532nm激光透过率较高的介电层，使532nm激光可以用于隐形切割，避免了1064nm激光切割时造成器件的漏电流，同时大大地降低了制造的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含介电层 半导体 原件 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种含介电层的半导体原件的切割方法，其特征在于，所述切割方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，于所述半导体衬底的上表面制作包括多个半导体单元的半导体原件；2)于所述半导体衬底的背表面制作介电层，所述介电层对532nm激光的透过率大于30%；3)采用532nm激光并依据各该半导体单元对所述半导体衬底进行隐形切割，以在所述半导体衬底内部形成与各该半导体单元对应的变质层结构；4)依据所述变质层结构对所述半导体原件进行裂片，以获得相互分离的多个半导体单元。
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