[发明专利]一种应变硅浅沟槽隔离结构的形成方法在审
| 申请号： | 201210342100.3 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102881628A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 曾绍海;左青云;李铭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种应变硅浅沟槽隔离结构的形成方法，其包括如下步骤：提供一半导体衬底，半导体衬底上依次形成有衬垫氧化层和氮化硅层；采用刻蚀工艺在衬垫氧化层、氮化硅层和半导体衬底所形成层叠结构中形成浅沟槽；其中，浅沟槽的底部位于所述半导体衬底中；在浅沟槽侧壁、底部以及氮化硅层表面形成保护层；在表面形成有保护层的浅沟槽内沉积应变掺碳氧化硅层以形成隔离介质层；去除浅沟槽隔离外的掺碳氧化硅以及氮化硅层表面形成的保护层以形成应变硅浅沟槽隔离结构。本发明的应变硅浅沟槽隔离的形成方法能够提高硅的载流子迁移率，从而减小电阻与能耗并增大驱动电流和频率响应，最终提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应变 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种应变硅浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括： 步骤S01：提供一半导体衬底，且在所述半导体衬底上依次形成有衬垫氧化层和氮化硅层； 步骤S02：采用刻蚀工艺在所述衬垫氧化层、氮化硅层和半导体衬底所形成层叠结构中形成浅沟槽；其中，所述浅沟槽的底部位于所述衬底中； 步骤S03：在所述浅沟槽侧壁、底部以及氮化硅层表面形成保护层； 步骤S04：在表面形成有保护层的所述浅沟槽内沉积应变掺碳氧化硅层以形成隔离介质层； 步骤S05：去除所述浅沟槽外的隔离掺碳氧化硅，以及所述氮化硅层上表面形成的保护层，从而形成应变硅浅沟槽隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
