[发明专利]氧化物半导体及其制造方法无效
| 申请号： | 201210342862.3 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102832235A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 兰林锋;肖鹏;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学;广州新视界光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/10;H01L29/786;H01L21/203;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一类可抑制过剩的本征载流子，且电学稳定性高氧化物半导体。本发明实施例的包括：AlxInyZnz氧化物和微量掺杂物；所述微量掺杂物包括：稀土元素，稀土元素的氧化物，4B族元素，4B族元素氧化物，5B族元素或5B族元素氧化物中的任意一种或两种以上的组合。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体，其特征在于，包括：AlxInyZnz氧化物和微量掺杂物；所述x，y和z表示AlxInyZnz氧化物中铝（Al），铟（In）和锌（Zn）的原子比；其中，0.01≤x≤0.2，0.3≤y≤0.7，0.3≤z≤0.7，并且x+y+z=1；所述微量掺杂物包括：稀土元素，稀土元素的氧化物，4B族元素，4B族元素氧化物，5B族元素或5B族元素氧化物中的任意一种或两种以上的组合。
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