[发明专利]含有TiSiN材料层的相变存储单元及其制备方法无效
| 申请号： | 201210342947.1 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102832342A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;龚岳峰;饶峰;刘波;亢勇;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种含有TiSiN材料层的相变存储单元及其制备方法，所述相变存储单元包括相变材料层和位于其下方的下电极，所述相变材料层和下电极之间由一TiSiN材料层连接，所述下电极包括一底部和一与该底部连接的片状侧部，所述片状侧部垂直于所述底部，形成刀片结构，所述片状侧部的顶端与所述TiSiN材料层接触。本发明采用退火增加电极晶粒尺寸从而降低整体器件电阻，并在所述下电极顶端形成TiSiN材料层从而减小有效操作区域。将本发明的相变存储单元应用于相变存储器中，具有低功耗、高密集度和高数据保持能力的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 tisin 材料 相变 存储 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种含有TiSiN材料层的相变存储单元，其包括相变材料层和位于其下方的下电极，其特征在于：所述相变材料层和下电极之间由一TiSiN材料层连接。
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