[发明专利]X射线探测器背板的制造方法及PIN光电二极管的制造方法

摘要

本发明提供一种X射线探测器背板的制造方法及PIN光电二极管的制造方法。所述PIN光电二极管的制造方法包括：在基板上沉积N型非晶硅薄膜；在N型非晶硅薄膜上沉积本征非晶硅薄膜；采用B2H6对本征非晶硅薄膜进行离子注入，并对离子注入后的本征非晶硅薄膜进行活化工艺，从而在本征非晶硅薄膜的上层形成P型非晶硅薄膜；进行掩模光刻工艺，得到PIN光电二极管的P型层、I型层和N型层。本发明采用离子注入和活化工艺来形成PIN光电二极管，能够避免在PECVD上增加B2H6气体进行PIN光电二极管和X射线探测器背板的制造时，所带来的气体交叉污染问题。

主权项

一种PIN光电二级管的制造方法，其特征在于，所述制造方法采用离子注入和活化工艺来形成PIN光电二极管。