[发明专利]形成半导体结构的方法

摘要

公开了一种半导体结构。该半导体结构包括第一层。第二层被设置在第一层上，并且在组分上与第一层不同。在第一层和第二层之间存在界面。第三层被设置在第二层上。栅极被设置在第三层上。源极部件和漏极部件被设置在栅极的相对侧上。源极部件和漏极部件均包括至少部分地嵌入第二层和第三层中的相应金属部件。相应的金属间化合物位于每一个金属部件的下面。金属间化合物均接触位于界面处的载流子沟道。本发明还提供了一种形成半导体结构的方法。

主权项

一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：提供第一层；在所述第一层上形成第二层；在所述第二层上形成绝缘层；去除所述绝缘层的部分，以形成两个开口并暴露出所述第二层的顶面；在所述两个开口中均形成金属部件；以及对所述金属部件进行退火，以形成相应的金属间化合物。