[发明专利]一种检测离子井中载流子迁移的方法有效
申请号: | 201210343371.0 | 申请日: | 2012-09-17 |
公开(公告)号: | CN102881608A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟;郭明升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种检测离子井中载流子迁移的方法,其中包括:步骤a,在晶圆的同一个有源区域内设置有预定间距的两种类型的离子井;步骤b,在离子井的上方各添加一层金属硅化物;步骤c,在离子井上方的金属硅化物上各形成一个接触孔;步骤d,采用金属铜连接接触孔,并形成完整器件结构;步骤e,在器件结构上方引入一根光纤,光纤用于照射器件表面;本发明的有益效果为:利用本发明的技术,通过电子显微镜的观察,可以直接判断各种强度的光对不同离子浓度的离子井中光生载流子迁移的影响,以此作为实验基础研究器件性能在不同强度光辐射干扰下的载流子情况,并改进制造工艺。 | ||
搜索关键词: | 一种 检测 离子 载流子 迁移 方法 | ||
【主权项】:
一种检测离子井中载流子迁移的方法,搭建特定结构的器件并在不同光强辐射下检测该器件中的载流子迁移现象,其特征在于,步骤包括:步骤a,在晶圆的同一个有源区域内设置有预定间距的两种类型的离子井;步骤b,在所述离子井的上方各添加一层金属硅化物;步骤c,在所述离子井上方的所述金属硅化物上各形成一个接触孔;步骤d,采用金属铜连接所述接触孔,并形成完整器件结构;步骤e,在所述器件结构上方引入一根光纤,所述光纤用于照射所述器件表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210343371.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种解码多个视频文件的方法及设备
- 下一篇:一种带内校砝码结构的电子天平
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造