[发明专利]一种检测离子井中载流子迁移的方法有效

专利信息
申请号: 201210343371.0 申请日: 2012-09-17
公开(公告)号: CN102881608A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 倪棋梁;陈宏璘;龙吟;郭明升 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 竺路玲
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种检测离子井中载流子迁移的方法,其中包括:步骤a,在晶圆的同一个有源区域内设置有预定间距的两种类型的离子井;步骤b,在离子井的上方各添加一层金属硅化物;步骤c,在离子井上方的金属硅化物上各形成一个接触孔;步骤d,采用金属铜连接接触孔,并形成完整器件结构;步骤e,在器件结构上方引入一根光纤,光纤用于照射器件表面;本发明的有益效果为:利用本发明的技术,通过电子显微镜的观察,可以直接判断各种强度的光对不同离子浓度的离子井中光生载流子迁移的影响,以此作为实验基础研究器件性能在不同强度光辐射干扰下的载流子情况,并改进制造工艺。
搜索关键词: 一种 检测 离子 载流子 迁移 方法
【主权项】:
一种检测离子井中载流子迁移的方法,搭建特定结构的器件并在不同光强辐射下检测该器件中的载流子迁移现象,其特征在于,步骤包括:步骤a,在晶圆的同一个有源区域内设置有预定间距的两种类型的离子井;步骤b,在所述离子井的上方各添加一层金属硅化物;步骤c,在所述离子井上方的所述金属硅化物上各形成一个接触孔;步骤d,采用金属铜连接所述接触孔,并形成完整器件结构;步骤e,在所述器件结构上方引入一根光纤,所述光纤用于照射所述器件表面。
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