[发明专利]两次刻蚀成型图形的关键尺寸的控制方法有效
| 申请号： | 201210344778.5 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103681250A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 郭晓波;李伟峰;孟鸿林 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种两次刻蚀成型图形的关键尺寸的控制方法，包括步骤如下：(1)在硅片上生长薄膜层；(2)第一图形层的光刻，CD（关键尺寸）和overlay（套刻精度）的测量；(3)第一图形层的刻蚀；(4)第二图形层的光刻，CD和overlay的测量；(5)第二图形层的刻蚀，形成对称结构的图形；(6)对称结构图形CD的测量；(7)将上述对称图形的CD差异折算成第二图形层的overlay；(8)将上述折算后的第二图形层的overlay反馈到光刻机，以修正下一批次硅片的第二图形层的overlay，实现对上述对称图形刻蚀后CD的控制。本发明同时解决了因为光刻overlay不佳和刻蚀速率不同导致的刻蚀后对称图形CD不一致的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 两次 刻蚀 成型 图形 关键 尺寸 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种两次刻蚀成型图形的关键尺寸的控制方法，其特征在于，包括步骤如下：(1)在硅片上生长薄膜层；(2)第一图形层的光刻，关键尺寸和套刻精度的测量；(3)第一图形层的刻蚀，光刻胶去除；(4)第二图形层的光刻，关键尺寸和套刻精度的测量；(5)第二图形层的刻蚀，形成对称结构的图形；(6)对称结构图形的关键尺寸的测量；(7)将上述对称图形的关键尺寸差异折算成第二图形层的套刻精度；(8)将上述折算后的第二图形层的套刻精度反馈到第二图形层的光刻机，通过光刻机的套刻精度补正系统修正下一批次硅片的第二图形层的套刻精度，从而实现对上述对称图形的关键尺寸的控制。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210344778.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：硬掩模
- 下一篇：低温多晶硅薄膜的预清洗方法及其制备方法、制作系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
