[发明专利]一种阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201210345680.1 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102890378A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 高涛;周伟峰;张峰;吕志军 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及液晶显示器的制造领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法。本发明实施例的方法包括：采用灰色调或半色调掩膜板，通过第一次构图工艺，在衬底基板上依次形成栅线和栅电极、第一绝缘层、有源层及欧姆接触层；采用灰色调或半色调掩膜板，通过第二次构图工艺，在完成上述步骤的衬底基板上，依次形成第二绝缘层和像素电极；采用灰色调或半色调掩膜板，通过第三次构图工艺，在完成上述步骤的衬底基板上，依次形成漏电极和源电极、数据线以及钝化层。本发明实施例通过三次构图工艺即可完成阵列基板的制备，缩短了生产周期，降低了生产成本，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，其特征在于，该阵列基板包括：位于衬底基板上的栅电极和栅线；所述栅电极和栅线上依次覆盖有第一绝缘层、有源层及欧姆接触层，其中，所述有源层与所述欧姆接触层形成薄膜晶体管TFT沟道；所述TFT沟道上覆盖有第二绝缘层，在所述衬底基板上除所述第二绝缘层覆盖的区域外的其他区域上覆盖有像素电极，其中，所述第二绝缘层上的欧姆接触层对应位置上分别形成有接触孔，部分所述像素电极通过所述接触孔与所述欧姆接触层接触；所述第二绝缘层上覆盖有漏电极、源电极及数据线，其中，所述漏电极与所述像素电极接触；所述漏电极、源电极及数据线上覆盖有钝化层。
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