[发明专利]一种发光二极管无效
申请号: | 201210345884.5 | 申请日: | 2012-09-18 |
公开(公告)号: | CN102891227A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 徐广忠 | 申请(专利权)人: | 泰州普吉光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02;H01L33/36;H01L33/48 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 225300 江苏省泰州市海*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明适用于光电技术领域,提供了一种发光二极管,包括发光二极管芯片和反光二极管基板,发光二极管芯片倒置的方式设置在反光二极管基板上,其中:发光二极管芯片设有一透明的蓝宝石衬底,通过焊接方式设置在蓝宝石衬底上的GaN结构层,GaN结构层的下表面设置有P电极和N电极;反光二极管基板一掺杂有N型单面抛光单晶形成的单晶衬底,单晶衬底的抛光面上设有一层生长氧化层,生长氧化层上设有若干个用以形成P型层的扩散窗口,P型层上设有接触层,接触层上设有金属层,金属层连接发光二极管芯片的电极,所述接触层上设有延伸电极。本发明结构简单,使用该发光二极管的LED,散热效果好,保证了LED的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种发光二极管,其特征在于,所述发光二极管包括发光二极管芯片和反光二极管基板,所述发光二极管芯片倒置的方式设置在所述反光二极管基板上,其中:所述发光二极管芯片设有一透明的蓝宝石衬底,通过焊接方式设置在所述蓝宝石衬底上的GaN结构层,所述GaN结构层的下表面设置有P电极和N电极;所述反光二极管基板一掺杂有N型单面抛光单晶形成的单晶衬底,所述单晶衬底的抛光面上设有一层生长氧化层,所述生长氧化层上设有若干个用以形成P型层的扩散窗口,所述P型层上设有接触层,所述接触层上设有金属层,所述金属层连接发光二极管芯片的电极,所述接触层上设有延伸电极。
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