[发明专利]一种薄膜结构透明电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201210346102.X | 申请日： | 2012-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN102916103A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 江灏;伍伟聪;李剑飞 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明;林伟斌 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种薄膜结构透明电极及其制备方法，所述薄膜结构透明电极包括与n型半导体形成肖特基接触的金属铱，或与p型半导体形成欧姆接触的氧化铱；在金属铱加入金属镍形成金属铱-金属镍-金属铱；在氧化铱中加入氧化镍形成氧化铱-氧化镍-氧化铱。本发明具备金属功函数大、熔点高、热稳定性好、透光性好、强抗腐蚀性及抗氧化性良好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 结构 透明 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜结构透明电极，其特征在于，包括与n型半导体形成肖特基接触的金属铱，或与p型半导体形成欧姆接触的氧化铱。
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