[发明专利]一种核壳型有机/硫化镉纳米线异质结阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种核壳型有机硫化镉半导体纳米线异质结及硫化镉纳米管的制备方法，利用物理气相沉积法生长单晶有机纳米线阵列，并以此高密度的有机纳米线阵列为模板，运用原子层沉积(ALD)技术在纳米线表层包裹生长硫化镉（CdS）壳层；通过控制有机纳米线类型和原子层沉积的工艺条件，可方便实现不同种类核壳型有机或无机异质结纳米结构阵列的可控制备；同时通过加热将核壳内有机纳米线蒸发能得到相应的中空无机纳米管阵列。本发明操作简单工艺简单，产物均匀，可控性高，可在原子层级别上控制异质结的形成；该方法制备得到的异质结纳米线以及纳米管阵列在太阳能电池、光开关和传感器等纳米电子、光电子领域具有着广阔的应用前景。

主权项

一种核壳型有机硫化镉半导体纳米线异质结及硫化镉纳米管阵列的制备方法，以高密度有机纳米线阵列为模板，通过原子层沉积（ALD）首先在纳米线表面修饰一层Al2O3过渡层，再在此过渡层上沉积CdS壳层，形成表面光滑的有机或无机纳米线异质结阵列，然后再通过一定温度下将核壳结构中有机纳米线蒸发，还可以方便得到中空CdS纳米管阵列。