[发明专利]双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法有效
| 申请号： | 201210348006.9 | 申请日： | 2012-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN102842613A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 王晓亮;王翠梅;肖红领;彭恩超;冯春;姜丽娟;陈竑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂插入层，该非有意掺杂插入层制作在非有意掺杂高阻层上面；一非有意掺杂高迁移率层，该非有意掺杂高迁移率层制作在非有意掺杂插入层上面；一非有意掺杂氮化铝插入层，该非有意掺杂氮化铝插入层制作在高迁移率层上面；一非有意掺杂铝镓氮势垒层，该非有意掺杂铝镓氮势垒层制作在非有意掺杂氮化铝插入层上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层上面。 | ||
| 搜索关键词： | 双异质 结构 氮化 镓基高 电子 迁移率 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂插入层，该非有意掺杂插入层制作在非有意掺杂高阻层上面；一非有意掺杂高迁移率层，该非有意掺杂高迁移率层制作在非有意掺杂插入层上面；一非有意掺杂氮化铝插入层，该非有意掺杂氮化铝插入层制作在高迁移率层上面，该非有意掺杂氮化铝插入层的厚度为0.3‑5nm；一非有意掺杂铝镓氮势垒层，该非有意掺杂铝镓氮势垒层制作在非有意掺杂氮化铝插入层上面，该非有意掺杂铝镓氮势垒层的厚度为10‑30nm，铝组分为0.10‑0.35之间；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层上面，该非有意掺杂氮化镓盖帽层的厚度为1‑10nm。
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