[发明专利]一种CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器制造方法，包括在衬底上形成MOS晶体管区及光电二极管区；在MOS晶体管区上方形成金属互连结构，金属互连结构形成于互连介质层中；形成上表面窄下表面宽即横截面为梯形的顶层金属互连线；淀积并刻蚀顶层互连介质层，以在光电二极管区上方形成沟槽，所述沟槽包括由顶层金属互连线环绕而成的第一部分，以及位于顶层金属互连线上方的第二部分，所述第二部分环绕光电二极管区上方；以及在所述第一部分与所述第二部分形成第一反射层与第二反射层。本发明还公开了一种CMOS图像传感器，使得更多的入射光到达光电二极管的感光区域，参与光电转换过程，有效地提高了像素单元的灵敏度。

主权项

一种CMOS图像传感器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成MOS晶体管区及光电二极管区；在所述MOS晶体管区上方形成金属互连结构，所述金属互连结构形成于互连介质层中，包括接触孔，N‑1层金属互连线以及与所述金属互连线配套的通孔；其中，N为金属互连线层的总层数，且为大于等于2的正整数；淀积并刻蚀第N层金属，以形成上表面窄下表面宽即横截面为梯形的顶层金属互连线，所述顶层金属互连线环绕所述光电二极管区上方；在所述顶层金属互连线之间及上方淀积顶层互连介质层； 刻蚀所述顶层互连介质层，在所述光电二极管区上方形成沟槽，所述沟槽包括由所述顶层金属互连线环绕而成的第一部分，以及位于所述顶层金属互连线上方的第二部分，其中所述第二部分的侧壁环绕所述光电二极管区上方；以及在所述第一部分与所述第二部分形成第一反射层与第二反射层。