[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201210348128.8 | 申请日： | 2012-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103681336A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 孟晓莹;隋运奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成第一硬掩膜结构，所述第一硬掩膜结构具有与所述半导体衬底接触的底面，其中，所述底面位于所述第一硬掩膜结构在半导体衬底表面上的投影内；以所述第一硬掩膜结构作为掩膜，刻蚀半导体衬底，形成侧壁倾斜的鳍部。所述半导体结构的形成方法，还包括：鳍部表面形成栅极结构，所述栅极结构横跨鳍部顶面和侧壁；在鳍部两端形成源极和漏极，所述源极和漏极位于栅极结构的两侧。所述半导体结构的形成方法，可以形成鳍部侧壁倾斜的鳍式场效应晶体管，并且所述鳍部的倾斜侧壁表面平整，提高鳍式晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成第一硬掩膜结构，所述第一硬掩膜结构具有与所述半导体衬底接触的底面，其中，所述底面位于所述第一硬掩膜结构在半导体衬底表面上的投影内；以所述第一硬掩膜结构作为掩膜，刻蚀半导体衬底，形成侧壁倾斜的鳍部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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