[发明专利]一种折线型银纳米斜棒阵列表面增强拉曼基底的制备方法

摘要

本发明公开了一种折线型银纳米斜棒阵列表面增强拉曼基底的制备方法，属于表面增强拉曼效应技术领域。本发明使用电子束蒸发镀膜机，采用银作为靶材，在200~260K的温度下，在硅基底或玻璃基底上倾斜生长拐点数为1到7的整数的折线型银纳米斜棒阵列，获得折线型银纳米斜棒阵列表面增强拉曼基底；然后使用罗丹明6G作为检测分子标定获得的折线型银纳米斜棒阵列表面增强拉曼基底的表面增强拉曼性能。本发明获得的折线型银纳米斜棒阵列表面增强拉曼基底的表面增强拉曼性能比直线型银纳米斜棒阵列表面增强拉曼基底明显更强，尤其是当拐点数为3、4或5时更强；本发明提供的方法简单、快速、成本低、灵敏度高。

主权项

一种折线型银纳米斜棒阵列表面增强拉曼基底的制备方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：（1）将基底用丙酮、酒精、去离子水逐一超声清洗，然后晾干；（2）将经步骤（1）预处理过的基底固定在电子束蒸发镀膜机的样品台上；（3）采用金属银为靶材；将电子束蒸发镀膜机腔室抽至3×10‑5～8×10‑5Pa的高真空；（4）将样品台温度降低至200~260K；（5）调整电子束入射角到75～85度，并使样品台静止，在置于样品台上的基底上倾斜生长银纳米斜棒；旋转样品台180度，继续镀制相同长度的银纳米斜棒；（6）重复步骤（5），最终在基底上镀制形成总长度为300~2000nm，拐点数为N的折线型银纳米斜棒阵列；所述的基底和在基底上制备的折线型银纳米斜棒阵列即为折线型银纳米斜棒阵列表面增强拉曼基底。