[发明专利]一种低钴镍纳米晶铁基软磁合金材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201210348457.2 | 申请日： | 2012-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102828110A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 张群;赵浩峰;王玲;张咏;刘光宇;邱奕婷;林莹莹;郑泽昌;张金花;陆阳平;唐江平;刘学剑 | 申请（专利权）人： | 南京信息工程大学 |
| 主分类号： | C22C38/10 | 分类号： | C22C38/10;C22C33/06;C22C45/02;B22D11/06;H01F1/147;H01F1/153 |
| 代理公司： | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人： | 张立荣 |
| 地址： | 210019 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低钴镍纳米晶铁基软磁合金材料及其制备方法，该材料在保证较好的软磁性能的条件下，不仅减少了高价格的钴金属，而且具有良好的磁性能。该制备方法工艺简单，生产成本低，适于工业化生产。该材料各成分的重量百分含量为：Co 4％～6.5％，Ni 5％～8％，Gd 3％～5％，Ir 0.01％～0.05％，Tm 0.1％～0.5％，Dy 0.1％～0.5％，Al 2％～4％，P 0.1％～0.5％，B 1％～3％，其余为Fe。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低钴镍 纳米 晶铁基软磁 合金材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低钴镍纳米晶铁基软磁合金材料，其特征是：该材料各成分的重量百分含量为：Co 4％～6.5％,Ni 5％～8％,Gd 3％～5％,Ir 0.01％～0.05％，Tm 0.1％～0.5％，Dy 0.1％～0.5％，Al 2％～4％，P 0.1％～0.5％，B 1％～3％，其余为Fe。
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