[发明专利]一种新型谐振巨磁阻抗效应磁敏感器件有效
| 申请号： | 201210349384.9 | 申请日： | 2012-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102854479A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 王三胜;褚向华 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人： | 姜荣丽 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种新型谐振巨磁阻抗效应磁敏感器件。该磁敏感器件通过将谐振效应与巨磁阻抗效应结合起来。将巨磁阻抗效应器件等效为由一个等效电感和一个等效电阻串联组成，再并联一个匹配电容构成LCR并联谐振电路。实验表明，构成谐振结构后可以显著增加原磁敏感器件的巨磁阻抗效应，从而获得更好的磁敏感灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 谐振 磁阻 效应 敏感 器件 | ||
【主权项】：
一种新型谐振巨磁阻抗效应磁敏感器件，其特征在于：将具有磁阻抗效应的磁敏感器件等效为由一个等效电感和一个等效电阻串联组成，将电容直接连接在磁阻抗效应的磁敏感器件的两端。
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