[发明专利]包括响应DC偏压控制的真空等离子体处理器

摘要

一种等离子体处理腔包括下电极和上电极组件，该组件具有被接地电极围绕着的中心电极。各电极之间射频激发的等离子体在这些电极上感应出DC偏压。下电极DC偏压量控制着连接在中心电极和接地之间的第一串联谐振电路的电容器。中心电极DC偏压量控制着连接在下电极和接地之间的第二串联谐振电路的电容器。

主权项

一种真空等离子体处理器，包括：用于处理工件的真空等离子体腔，所述腔体包括与腔内气体电耦合的第一电极组件和与腔内气体电耦合的第二电极组件，所述第一电极组件包括第一电极，所述第二电极组件包括彼此分隔开的第二和第三电极；连接到所述电极中的至少一个电极的AC电源装置，所述AC电源装置具有足够大的功率，可以将腔内气体激发成等离子体；所述腔体和所述电极组件被安排成，（a）使等离子体激发AC电场存在于所述第一和所述第二电极组件之间，所述AC电场的频率就是所述电源装置的频率，（b）响应于腔内气体被激发成等离子体的过程，在所述电极之一上逐渐形成DC偏压；用于所述DC偏压的检测器；以及用于控制所述等离子体激发AC电场的电路系统；其中，所述腔体和所述电极组件被安排成，（a）使处于所述频率的第一电场线存在于所述第一电极以及所述第二和所述第三电极中的至少一个电极之间，以及（b）使处于所述AC电场的频率的第二电场线存在于所述第二和第三电极之间；所述腔体、所述电极组件和所述电路系统被安排成使所述电路系统基于所述检测到的DC偏压示数来影响所述第一和所述第二电场线；以及所述腔体和所述电极组件被安排成，（a）使处于所述电源装置的频率的等离子体激发AC电场存在于所述第一和所述第二电极组件之间，（b）响应于腔内气体被激发成等离子体的过程，在至少一个所述电极上逐渐形成DC偏压，且所述检测器包括在用于所述DC偏压的检测装置中；以及基于所述在至少一个所述电极上检测到的DC偏压示数来影响所述AC电场线的电路系统。