[发明专利]基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器

摘要

一种基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器，包括：一硅衬底；一二氧化硅层制作在硅衬底之上；一硅环状波导层制作在二氧化硅层之上；一键合缓冲层制作在硅波导层上；一N型接触层制作在键合缓冲层之上；一N型电极制作在N型接触层之上的中间；一环状量子阱有源区制作在N型电极的环状部分之内，N型接触层之上；一P型环状接触层制作在环状量子阱有源区之上；一P型环状盖层制作在P型环状接触层之上；一环状P型电极制作在环状P型盖层之上。本发明该结构在高密度集成，单纵模工作，高效耦合输出。更重要的是在工艺加工中省去通常的DFB分布反馈光栅制作及III-V族材料二次外延等工艺步骤，降低复杂性。

主权项

一种基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器，包括：一硅衬底，该硅衬底为单晶硅材料；一二氧化硅层，该二氧化硅层制作在硅衬底之上；一硅环状波导层，该硅环状波导层制作在二氧化硅层之上，该硅环状波导层的平面内开有两条平行的环形空气沟道，该两条环状空气沟道之间为带有周期微结构的环状脊形条；在两条环形空气沟道的一侧切向开有两条直空气沟道，形成耦合输出；一键合缓冲层，其制作在硅波导层上；一N型接触层，其制作在键合缓冲层之上；一N型电极，其制作在N型接触层之上的中间，该N型电极由环状部分和方形焊线部分连接而成，该环状部分内边缘与环形空气沟道的外环外边缘相切；一环状量子阱有源区，该环状量子阱有源区制作在N型电极的环状部分之内，N型接触层之上，形状与环状脊形条相同；一P型环状接触层，其制作在环状量子阱有源区之上；一P型环状盖层其制作在P型环状接触层之上；一环状P型电极，其制作在环状P型盖层之上。