[发明专利]一种多晶硅铸锭用陶瓷坩埚免烧结涂层制备方法无效

专利信息
申请号: 201210350069.8 申请日: 2012-09-20
公开(公告)号: CN102850086A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 刘晓兵;吴红霞;贾娇娇;金浩 申请(专利权)人: 光为绿色新能源股份有限公司
主分类号: C04B41/85 分类号: C04B41/85
代理公司: 保定市燕赵恒通知识产权代理事务所 13121 代理人: 周献济
地址: 074000 *** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种多晶硅铸锭用陶瓷坩埚免烧结涂层制备方法,(1)悬浊液的配制:悬浊液是由15%-25%的氮化硅,70%-80%的去离子水和1%-5%的聚乙烯吡咯烷酮PVP制成的;将去离子水倒入搅拌器内,再将氮化硅缓缓加入去离子水中,搅拌后,再将聚乙烯吡咯烷酮PVP置于搅拌器内进行搅拌,搅拌15-20分钟使悬浊液均匀。(2)涂层的制备:将搅拌好的悬浊液喷涂到坩埚内壁上,将喷涂完成后的坩埚常温下晾干或者在旋转加热器上在70—100℃的温度下保温0.5-2小时。使用该方法形成的氮化硅涂层与坩埚内壁粘附力强,脱落、起泡的几率低,提高了多晶硅铸锭的成品率,降低了铸锭成本,提高了生产效率。
搜索关键词: 一种 多晶 铸锭 陶瓷 坩埚 烧结 涂层 制备 方法
【主权项】:
一种多晶硅铸锭用陶瓷坩埚免烧结涂层制备方法,其特征在于:其包括以下步骤:(1)悬浊液的配制:悬浊液是由以下材料制成的,按照重量百分比计算,15%‑25%的氮化硅,70%‑80%的去离子水和1%‑5%的聚乙烯吡咯烷酮PVP;将所述量的去离子水倒入搅拌器内,再将所述量的氮化硅缓缓加入去离子水中,快速搅拌15分钟后再慢速搅拌15分钟,然后将所述量的聚乙烯吡咯烷酮PVP置于搅拌器内进行搅拌,搅拌15‑20分钟使悬浊液均匀备用;(2)涂层的制备:将坩埚放在旋转加热器上进行加热,坩埚干燥后用上述所述悬浊液喷涂,喷涂时,坩埚温度控制在50~90℃,喷枪与坩埚内壁的喷涂距离控制在25‑30cm之间,喷涂过程中随时用点温计测量坩埚内涂层状态;将喷涂完成后的坩埚常温下晾干或者在旋转加热器上在70—100℃的温度下保温0.5‑2小时。
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