[发明专利]半导体器件制造方法

摘要

本发明提供了一种应力半导体制造方法。在本发明的方法中，首先在NMOS区域形成张应力层，接着全面性形成压应力层，并通过光刻和刻蚀工艺，在张应力层之上保留一定厚度的压应力层；通过第一次CMP工艺，打开虚设栅极，由于张应力层之上保留了一定厚度的压应力层，并且压应力层在湿法腐蚀液中的腐蚀速率很小，因此，张应力层被其上的压应力层保护而在腐蚀虚设栅极绝缘层时不会受到损伤，克服了现有技术中的缺陷；接着，形成栅极凹槽后，完成高K栅绝缘层和金属栅极制造，实现了后栅工艺与双应变应力层的工艺集成。

主权项

一种半导体器件制造方法，其特征在于包括如下步骤：提供半导体衬底，在该半导体衬底上形成STI结构，并进行阱区注入，形成NMOS区域和PMOS区域；形成NMOS晶体管和PMOS晶体管，所述NMOS晶体管和所述PMOS晶体管包括虚设栅极和虚设栅极绝缘层，其中所述虚设栅极的上表面距离所述半导体衬底的表面的高度为h0；在所述NMOS晶体管之上形成张应力层，所述张应力层的厚度为h1；全面性沉积压应力层，其厚度为h2，其中，h0＞h2＞h1；在所述PMOS晶体管上形成图案化光刻胶层，暴露出位于所述NMOS晶体管上的所述压应力层，对暴露出的所述压应力层进行刻蚀，去除部分厚度，使得所述NMOS晶体管上剩余的压应力层厚度为h3；进行第一次CMP工艺，暴露所述虚设栅极的顶部，停止在覆盖在源漏区域正上方的所述压应力层的上表面；依次去除所述虚设栅极和所述虚设栅极绝缘层，形成栅极凹槽；在所述栅极凹槽中，分别形成所述NMOS晶体管和所述PMOS晶体管的高K栅绝缘层和金属栅极。