[发明专利]一种晶体硅片表面处理的方法有效
| 申请号： | 201210350933.4 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102856189A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 季静佳;覃榆森;朱凡 | 申请（专利权）人： | 苏州易益新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215104 江苏省苏州市吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅片的制绒方法。该制绒方法包括二个步骤：（1）对晶体硅片表面实施化学溶液各向同性腐蚀抛光处理，降低晶体硅片的表面粗糙度；（2）对晶体硅片表面实施化学溶液各向异性腐蚀制绒处理，降低晶体硅片的表面反射率。本发明制备绒面方法的特征在于，本发明的制备绒面的方法适用于所有类型的晶体硅片，并具有绒面尺寸小，生产成本低和制绒时间短的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 硅片 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅片表面绒面的制备方法，其特征在于，该晶体硅片表面绒面的制备方法包括以下步骤：（1）对晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀抛光，降低晶体硅片的表面粗糙度；（2）对晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀制绒，降低晶体硅片的表面反射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
