[发明专利]用于电隔离的信号传输的半导体装置以及用于制造此类装置的方法

摘要

本发明涉及一种用于电隔离的信号传输的半导体装置以及此类装置的制造方法。该装置包括人工芯片，其中，具有电路结构的半导体芯片在除了其基面之外的所有其它面上如此嵌入电绝缘的填料，即人工芯片的基面由于填料与半导体芯片的基面相比变大；薄膜基底，被施加到放大的基面上并且同时越过半导体芯片的基面延伸到放大的基面内，其中，基底具有至少两个由绝缘材料制成的涂层，在这两个涂层之间设置有结构化的金属化层；第一线圈，通过一个或多个相应结构化的金属化层形成在基底内；以及第二线圈，如此通过一个或多个相应结构化的金属化层形成在基底内，或者通过相应形成的电路结构形成在半导体芯片内，即第二线圈与第一线圈磁耦合但与第一线圈电隔离。

主权项

用于电隔离的信号传输的半导体装置，具有人工芯片，其中，具有电路结构的半导体芯片在除了其基面之外的所有其它面上如此嵌入电绝缘的填料，即所述人工芯片的基面由于所述填料与所述半导体芯片的基面相比变大；薄膜基底，被施加到放大的所述基面上并且同时越过所述半导体芯片的基面延伸到放大的所述基面内，其中，所述基底具有至少两个由绝缘材料制成的涂层，在所述涂层之间设置有结构化的金属化层；第一线圈，通过一个或多个相应结构化的金属化层形成在所述基底内；以及第二线圈，通过一个或多个相应结构化的金属化层如此形成在所述基底内或者通过相应形成的电路结构如此形成在所述半导体芯片内或者所述人工芯片外，即所述第二线圈与所述第一线圈磁耦合和/或电容耦合但与所述第一线圈电隔离。