[发明专利]垂直型发光二极管有效
| 申请号： | 201210351448.9 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102856456A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 虞浩辉;周宇杭 | 申请（专利权）人： | 江苏威纳德照明科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/46;H01L33/10 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213342 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直型发光二极管，其具有衬底，所述衬底的下表面形成有透明金属欧姆接触层，所述透明金属欧姆接触层下方形成有n型电极，该n型电极通过所述透明金属欧姆接触层而与所述衬底实现电连接；所述衬底的上表面上依次形成有GaN缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层（MQW）、p型AlGaN层、p型GaN层、透明电极层，p金属电极，所述GaN缓冲层的表面被粗化处理后形成第一表面粗化层；所述垂直型发光二极管的上表面、下表面以及所有侧面都形成第二表面粗化层。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种垂直型发光二极管，所述发光二极管具有衬底，所述衬底的下表面形成有透明金属欧姆接触层，所述透明金属欧姆接触层下方形成有n型电极，该n型电极通过所述透明金属欧姆接触层而与所述衬底实现电连接；所述衬底的上表面上依次形成有GaN缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层（MQW）、p型AlGaN层、p型GaN层、透明电极层，p金属电极；其特征在于：所述GaN缓冲层的表面被粗化处理后形成第一表面粗化层；所述垂直型发光二极管的上表面、下表面以及所有侧面都形成第二表面粗化层。
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