[发明专利]半导体封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210352416.0 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103258817A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 竺炜棠;曹登扬 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/66 | 分类号： | H01L23/66;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾高*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体封装结构及其制造方法，在制造方法中，形成第一封装胶体来包覆基板上的芯片，接着，依序形成堆叠的第一金属层、第二封装胶体、第二金属层及第三封装胶体，接着，形成第一外露金属层及第二外露金属层于第三封装胶体上，第一外露金属层的长度不同于第二外露金属层的长度。本发明的半导体封装结构可具有多频段的天线结构，且可大幅缩减天线结构的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装结构，其特征在于：所述半导体封装结构包括：一基板；一芯片，设置于所述基板上；一第一封装胶体，包覆所述芯片；一第一金属层，形成于所述第一封装胶体上，所述第一金属层具有一天线结构的第一部份，并电性连接于所述芯片；一第二封装胶体，包覆所述第一金属层；一第二金属层，形成于所述第二封装胶体上，所述第二金属层具有所述天线结构的第二部份，并电性连接于所述第一金属层；一第三封装胶体，包覆所述第二金属层；一第一外露金属层，形成于所述第三封装胶体上，所述第一外露金属层具有所述天线结构的第三部份，并电性连接于所述第二金属层；以及一第二外露金属层，形成于所述第三封装胶体上，所述第二外露金属层具有所述天线结构的第四部份，并电性连接于所述第二金属层，其中所述第二外露金属层是隔离于所述第一外露金属层，且所述天线结构的第三部份的长度不同于所述天线结构的第四部份的长度。
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